CSD85312Q3E
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| Teilenummer | CSD85312Q3E |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.155 | $0.147 | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD85312Q3E | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 142082 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON (3.3x3.3) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 8V | Leistung - max | 2.5W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | 296-37187-2 CSD85312Q3E-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 35 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source | FET-Merkmal | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 39A |
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