CSD86336Q3D
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| Teilenummer | CSD86336Q3D |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.296 | |||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD86336Q3D | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 66694 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON (3.3x3.3) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V | Leistung - max | 6W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN | Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 35 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
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