CSD86356Q5D
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| Teilenummer | CSD86356Q5D |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.452 | |||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD86356Q5D | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 76123 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON-CLIP (5x6) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V | Leistung - max | 12W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 35 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V | Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 5V Drive | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 40A (Ta) 12W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Ta) |
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