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STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2
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Teilenummer STGYA120M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 14132 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs600 pcs
$3.961$3.639$3.073$2.734

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Product parameter

Teilenummer STGYA120M65DF2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 14132 pcs Datenblatt STGYA120M65DF2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Testbedingung 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 66ns/185ns Schaltenergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ Serie *
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 202ns Leistung - max 625W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Exposed Pad
Andere Namen 497-16976 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Gate-Ladung 420nC detaillierte Beschreibung IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
Strom - Collector Pulsed (Icm) 360A Strom - Kollektor (Ic) (max) 160A

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