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STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB
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Teilenummer STGWT80H65DFB
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 22178 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
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Teilenummer STGWT80H65DFB Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 22178 pcs Datenblatt STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Testbedingung 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/280ns Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-3P Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 85ns Leistung - max 469W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen 497-14234-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 414nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P Strom - Collector Pulsed (Icm) 240A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 120A

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