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STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB
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Teilenummer STGWT60H65DFB
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 35689 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STGWT60H65DFB Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 35689 pcs Datenblatt STGW(T)60H65DFB
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Testbedingung 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 51ns/160ns Schaltenergie 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-3P Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 60ns Leistung - max 375W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen 497-14232-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 306nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm) 240A Strom - Kollektor (Ic) (max) 80A

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