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STD3NK50Z-1

STD3NK50Z-1
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Teilenummer STD3NK50Z-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 256502 pcs
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Product parameter

Teilenummer STD3NK50Z-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 256502 pcs Datenblatt ST(D,Q)3NK50Z(R-AP,-1)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V Verlustleistung (max) 45W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 2.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc)

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