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STD3NM60N

STD3NM60N
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Teilenummer STD3NM60N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 70694 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		2500 pcs
$0.283

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Product parameter

Teilenummer STD3NM60N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 70694 pcs Datenblatt STD3NM60N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 1.65A, 10V Verlustleistung (max) 50W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-13089-2 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 188pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)

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