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STD38NH02L-1

STD38NH02L-1
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Teilenummer STD38NH02L-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 88872 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		3000 pcs
$0.27

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Product parameter

Teilenummer STD38NH02L-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 24V 38A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 88872 pcs Datenblatt STD38NH02L(-1)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 19A, 10V Verlustleistung (max) 40W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1070pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 24V
detaillierte Beschreibung N-Channel 24V 38A (Tc) 40W (Tc) Through Hole I-PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)

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