STB70N10F4
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| Teilenummer | STB70N10F4 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.365 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STB70N10F4 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 81725 pcs | Datenblatt | STx70N10F4 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK | Serie | DeepGATE™, STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 30A, 10V | Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65A (Tc) |
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