STB6NM60N
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| Teilenummer | STB6NM60N |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.003 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STB6NM60N | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 32080 pcs | Datenblatt | STx6NM60N |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK | Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 2.3A, 10V | Verlustleistung (max) | 45W (Tc) |
| Verpackung | Original-Reel® | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | 497-8770-6 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Tc) |
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