STB6NK60Z-1
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| Teilenummer | STB6NK60Z-1 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.414 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STB6NK60Z-1 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 72071 pcs | Datenblatt | STx6NK60Z(FP-1) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | 30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK | Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V | Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen | 497-5955-5 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 905pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
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