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STB21N65M5

STB21N65M5
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Teilenummer STB21N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 29274 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$1.148

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$1.148

Product parameter

Teilenummer STB21N65M5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 29274 pcs Datenblatt STx21N65M5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V Verlustleistung (max) 125W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-10562-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)

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