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STB20NM60-1

STB20NM60-1
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Teilenummer STB20NM60-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 28971 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$1.174

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Product parameter

Teilenummer STB20NM60-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 28971 pcs Datenblatt STx20NM60(-1,FP)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 192W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen 497-5383-5
STB20NM60-1-ND		 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)

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