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STB20NM50FDT4

STB20NM50FDT4
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Teilenummer STB20NM50FDT4
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 34072 pcs
Referenzpreis
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$1.146

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Teilenummer STB20NM50FDT4 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 34072 pcs Datenblatt STx20NM50FD
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 192W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-6191-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 20A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)

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