APT84M50B2
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| Teilenummer | APT84M50B2 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT84M50B2 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5058 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPT84M50(B2,L) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V | Verlustleistung (max) | 1135W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen | APT84M50B2MI APT84M50B2MI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 84A (Tc) |
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