APT80SM120B
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| Teilenummer | APT80SM120B |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | POWER MOSFET - SIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT80SM120B | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | POWER MOSFET - SIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5967 pcs | Datenblatt | APT80SM120(B,S) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V | Verlustleistung (max) | 555W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 1200V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
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