APT8M100B
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| Teilenummer | APT8M100B |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.574 | $2.068 | $1.884 | $1.526 | $1.287 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APT8M100B | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 24654 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPT8M100(B,S) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V | Verlustleistung (max) | 290W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Andere Namen | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 23 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1885pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B] | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
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