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APT24M120B2

APT24M120B2
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Teilenummer APT24M120B2
Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 4983 pcs
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(in US-Dollar)
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Product parameter

Teilenummer APT24M120B2 Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4983 pcs Datenblatt APT24M120(B2,L)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] Serie POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 12A, 10V Verlustleistung (max) 1040W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8370pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
detaillierte Beschreibung N-Channel 1200V 24A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)

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