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APT22F80B

APT22F80B
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Teilenummer APT22F80B
Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 10677 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs
$4.717$3.868$3.491$2.925

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Product parameter

Teilenummer APT22F80B Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 10677 pcs Datenblatt APT22F80(B,S)Power Products Catalog
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 12A, 10V Verlustleistung (max) 625W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Andere Namen APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 21 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4595pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B] Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)

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