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APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G
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Teilenummer APT25GN120B2DQ2G
Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 10010 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
60 pcs
$3.567

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Gesamt:
$3.567

Product parameter

Teilenummer APT25GN120B2DQ2G Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT 1200V 67A 272W TMAX Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 10010 pcs Datenblatt Power Products CatalogAPT25GN120B2DQ2(G)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Testbedingung 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 22ns/280ns Schaltenergie 2.15µJ (off)
Serie - Leistung - max 272W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant
Andere Namen APT25GN120B2DQ2GMI
APT25GN120B2DQ2GMI-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 32 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Gate-Ladung 155nC detaillierte Beschreibung IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole
Strom - Collector Pulsed (Icm) 75A Strom - Kollektor (Ic) (max) 67A

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