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1N6077US

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Teilenummer 1N6077US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 6A D5B
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 5252 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
100 pcs
$7.378

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Zielpreis:(USD)
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$7.378

Product parameter

Teilenummer 1N6077US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 6A D5B Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5252 pcs Datenblatt 1N6073US-1N6071US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.76V @ 18.8A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V Supplier Device-Gehäuse D-5B
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, E Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 155°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 100V 6A Surface Mount D-5B Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 100V
Strom - Richt (Io) 6A Kapazität @ Vr, F -

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