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1N6073

1N6073
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Teilenummer 1N6073
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 7414 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
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Teilenummer 1N6073 Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 7414 pcs Datenblatt 1N6073-81
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.04V @ 9.4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 50V Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse A, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 155°C Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 50V 850mA Through Hole
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 50V Strom - Richt (Io) 850mA
Kapazität @ Vr, F -

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