1N6080US
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| Teilenummer | 1N6080US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.674 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N6080US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 2518 pcs | Datenblatt | 1N6073US-1N6071US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100V | Supplier Device-Gehäuse | G-MELF (D-5C) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, G | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 155°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C) | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 100V |
| Strom - Richt (Io) | 2A | Kapazität @ Vr, F | - |
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