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CSD23203WT

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Teilenummer CSD23203WT
Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 129665 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer CSD23203WT Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 129665 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Vgs (Max) -6V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V Verlustleistung (max) 750mW (Ta)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA
Andere Namen 296-38615-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 35 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V
detaillierte Beschreibung P-Channel 8V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)

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