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CSD23202W10T

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Teilenummer CSD23202W10T
Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 160279 pcs
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Teilenummer CSD23202W10T Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 160279 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (Max) -6V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 4-DSBGA (1x1) Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 500mA, 4.5V Verlustleistung (max) 1W (Ta)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 4-UFBGA, DSBGA
Andere Namen 296-38338-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 35 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
detaillierte Beschreibung P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta)

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