CSD23201W10
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| Teilenummer | CSD23201W10 |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD23201W10 | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4315 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 4-DSBGA (1x1) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V | Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | 4-UFBGA, DSBGA |
| Andere Namen | 296-24258-1 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V | detaillierte Beschreibung | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Tc) |
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