CSD19506KTTT
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| Teilenummer | CSD19506KTTT |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | IC MOSFET N-CH 80V TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 150 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.642 | |||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD19506KTTT | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | IC MOSFET N-CH 80V TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 18959 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DDPAK/TO-263-3 | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V | Verlustleistung (max) | 375W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 2 (1 Year) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 35 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12200pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Ta) |
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