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CSD19501KCS

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Teilenummer CSD19501KCS
Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status Bestandsüberprüfung anfordern / RoHS-konform
In Stock 89589 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer CSD19501KCS Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Bleifreier Status / RoHS Status Bestandsüberprüfung anfordern / RoHS-konform
Verfügbare Menge 89589 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 60A, 10V Verlustleistung (max) 217W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen 296-37286-5
CSD19501KCS-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 35 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Request inventory verification / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 40V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
detaillierte Beschreibung N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)

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