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CSD19502Q5BT

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Teilenummer CSD19502Q5BT
Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS-konform
In Stock 41909 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer CSD19502Q5BT Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 41909 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6) Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 19A, 10V Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen 296-44043-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 35 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4870pF @ 40V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
detaillierte Beschreibung N-Channel 80V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)

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