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1N5553US

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Teilenummer 1N5553US
Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 5A
Bleifreier Status / RoHS Status
In Stock 9970 pcs
Referenzpreis
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$3.459

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Teilenummer 1N5553US Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 5A Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 9970 pcs Datenblatt 1N5550US-54US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 800V Supplier Device-Gehäuse -
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF Andere Namen 1N5553USS
Betriebstemperatur - Anschluss - Befestigungsart Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 800V 5A Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 800V
Strom - Richt (Io) 5A Kapazität @ Vr, F 92pF @ 5V, 1MHz

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