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1N5553C.TR

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Teilenummer 1N5553C.TR
Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status
In Stock 33561 pcs
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Teilenummer 1N5553C.TR Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 33561 pcs Datenblatt 1N55xx
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 800V Supplier Device-Gehäuse Axial
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse Axial Betriebstemperatur - Anschluss -
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Not Applicable
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 800V 5A Through Hole Axial Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 800V
Strom - Richt (Io) 5A Kapazität @ Vr, F 92pF @ 5V, 1MHz

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