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STU16N65M2

STU16N65M2
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Teilenummer STU16N65M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 77772 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs75 pcs150 pcs525 pcs1050 pcs
$1.021$0.822$0.74$0.576$0.477

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Product parameter

Teilenummer STU16N65M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 11A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 77772 pcs Datenblatt STx16N65M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251) Serie MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-15248-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 718pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)

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