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STU13N65M2

STU13N65M2
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Teilenummer STU13N65M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 70184 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs75 pcs150 pcs525 pcs1050 pcs
$0.72$0.581$0.523$0.407$0.337

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Teilenummer STU13N65M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 10A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 70184 pcs Datenblatt ST(P,U)13N65M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251) Serie MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 5A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-15574-5 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)

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