STP33N60M2
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| Teilenummer | STP33N60M2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 26A TO220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.23 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STP33N60M2 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 26A TO220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 24802 pcs | Datenblatt | STx33N60M2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 13A, 10V | Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-14221-5 STP33N60M2-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1781pF @ 100V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
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