STP30NM60ND
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| Teilenummer | STP30NM60ND |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.961 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STP30NM60ND | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 19817 pcs | Datenblatt | STx30NM60ND |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 12.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-8448-5 | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
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