STP11NM80
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| Teilenummer | STP11NM80 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.464 | $1.981 | $1.805 | $1.461 | $1.232 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STP11NM80 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 24822 pcs | Datenblatt | STx11NM80 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-4369-5 | Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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