STP11NM60FD
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| Teilenummer | STP11NM60FD |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.915 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STP11NM60FD | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 37237 pcs | Datenblatt | STB11NM60FD(-1), STP11NM60FD(FP) |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | FDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-3180-5 | Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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