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STL9N60M2

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Teilenummer STL9N60M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 80755 pcs
Referenzpreis
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$0.403

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Teilenummer STL9N60M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 80755 pcs Datenblatt STL9N60M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) HV Serie MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 860 mOhm @ 2.4A, 10V Verlustleistung (max) 48W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen 497-14970-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 4.8A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Tc)

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