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STL90N10F7

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Teilenummer STL90N10F7
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 58130 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STL90N10F7 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 58130 pcs Datenblatt STL90N10F7
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 8A, 10V Verlustleistung (max) 5W (Ta), 100W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen 497-13969-2
STL90N10F7-ND		 Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3550pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 70A (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)

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