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STI42N65M5

STI42N65M5
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Teilenummer STI42N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 14716 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$2.595

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$2.595

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Teilenummer STI42N65M5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 14716 pcs Datenblatt STx42N65M5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 16.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen 497-8899-5 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4650pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)

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