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STI35N65M5

STI35N65M5
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Teilenummer STI35N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 5920 pcs
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Teilenummer STI35N65M5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5920 pcs Datenblatt STx35N65M5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 13.5A, 10V Verlustleistung (max) 160W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen 497-11332-5 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc)

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