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STI18NM60N

STI18NM60N
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Teilenummer STI18NM60N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 38767 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$1.001

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$1.001

Product parameter

Teilenummer STI18NM60N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 38767 pcs Datenblatt STx18NM60N Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 285 mOhm @ 6.5A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)

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