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STI16N65M5

STI16N65M5
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Teilenummer STI16N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 40805 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$1.495$1.335$1.095$0.886

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Teilenummer STI16N65M5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 40805 pcs Datenblatt STx16N65M5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK Serie MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 279 mOhm @ 6A, 10V Verlustleistung (max) 90W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen 497-11327-5 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)

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