STH110N8F7-2
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| Teilenummer | STH110N8F7-2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET |
| Bleifreier Status / RoHS Status |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.276 | |||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | STH110N8F7-2 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET | Bleifreier Status / RoHS Status | |
| Verfügbare Menge | 68199 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 | Serie | STripFET™ F7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 55A, 10V | Verlustleistung (max) | 170W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 38 Weeks |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 110A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
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