STH110N10F7-6
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| Teilenummer | STH110N10F7-6 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STH110N10F7-6 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4379 pcs | Datenblatt | STH110N10F7-2,-6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2PAK-6 | Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 55A, 10V | Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Andere Namen | 497-13837-2 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5117pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
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