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STD9NM60N

STD9NM60N
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Teilenummer STD9NM60N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 83516 pcs
Referenzpreis
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$0.366

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Product parameter

Teilenummer STD9NM60N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 83516 pcs Datenblatt STx9NM60N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745 mOhm @ 3.25A, 10V Verlustleistung (max) 70W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-10959-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 452pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 6.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)

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