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STD9NM50N-1

STD9NM50N-1
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Teilenummer STD9NM50N-1
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 87511 pcs
Referenzpreis
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$0.441

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Product parameter

Teilenummer STD9NM50N-1 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 87511 pcs Datenblatt STx9NM50N(-1)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 3.7A, 10V Verlustleistung (max) 70W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)

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