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STD8N65M5

STD8N65M5
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Teilenummer STD8N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 81417 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		2500 pcs
$0.381

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Product parameter

Teilenummer STD8N65M5 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 7A DPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 81417 pcs Datenblatt STx8N65M5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V Verlustleistung (max) 70W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-10878-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)

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