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STD8N60DM2

STD8N60DM2
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Teilenummer STD8N60DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 86339 pcs
Referenzpreis
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$0.242

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Teilenummer STD8N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 86339 pcs Datenblatt STD8N60DM2 DatasheetPower Mgmt Guide Brochure
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V Verlustleistung (max) 85W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 497-16930-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)

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